原厂标准完整型号: CSD13306W

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: MOSFET NCH 12V

系列: NexFET?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.5A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10.2m? @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 11.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1370pF @ 6V

功率 - 最大值: 1.9W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装: 6-DSBGA（1x1.5）

TI(德州仪器) - CSD13306W - MOSFET NCH 12V