技术应用信息
制造商零件编号:CSD13383F4
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
系列:FemtoFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):44 毫欧 @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):291pF @ 6V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-XFDFN
供应商器件封装:3-PICOSTAR
TI(德州仪器) - CSD13383F4 - MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
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