
技术应用信息
原厂标准完整型号: CSD18536KCS
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
系列: NexFET?
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 200A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 108nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 11430pF @ 30V
功率 - 最大值: 375W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
TI(德州仪器) - CSD18536KCS - MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3

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