技术应用信息
制造商零件编号:CSD18540Q5BT
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
系列:NexFET?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4230pF @ 30V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-VSON (4x4)
TI(德州仪器) - CSD18540Q5BT - MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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