原厂标准完整型号: CSD19536KTTT

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 200A TO263

系列: NexFET?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 200A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.4 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 153nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 12000pF @ 50V

功率 - 最大值: 375W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA

供应商器件封装: DDPAK/TO-263-3

TI(德州仪器) - CSD19536KTTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263