制造商零件编号：CSD23203W

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 12V 2.2A 6WCSP

系列：NexFET?/p>

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19.4 毫欧 @ 1.5A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：914pF @ 4V

功率 - 最大值：750mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：6-DSBGA

TI(德州仪器) - CSD23203W - MOSFET P-CH 12V 2.2A 6WCSP