技术应用信息
制造商零件编号:CSD86350Q5D
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
系列:NexFET?/p>
FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):40A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1870pF @ 12.5V
功率 - 最大值:13W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-SON(5x6)
TI(德州仪器) - CSD86350Q5D - MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
购买TI(德州仪器)芯片可信赖的TI代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-46