制造商零件编号：TPS1120D

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：15V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.17A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：840mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

TI(德州仪器) - TPS1120D - MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC