技术应用信息
制造商零件编号:CSD13201W10
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 12V 20.2A 4DSBGA
系列:NexFET?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):34 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):462pF @ 6V
功率 - 最大值:1.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-UFBGA,DSBGA
供应商器件封装:4-DSBGA(1x1)
TI(德州仪器) - CSD13201W10 - MOSFET N-CH 12V 20.2A 4DSBGA
购买TI(德州仪器)芯片可信赖的TI代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-46