TI(德州仪器) - CSD18509Q5B - MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  • 制造商:TI (德州仪器)
  • 类目:FET - 单
  • 规格:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  • 封装:8-PowerTDFN
  • (只做TI原装正品)
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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  • 技术应用信息

    原厂标准完整型号: CSD18509Q5B

    制造厂家名称: Texas Instruments

    功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

    系列: NexFET?

    FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能: 逻辑电平门

    漏源极电压(Vdss): 40V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Ta)

    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.2 毫欧 @ 32A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 195nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 13900pF @ 20V

    功率 - 最大值: 3.1W

    安装类型: 表面贴装

    封装/外壳: 8-PowerTDFN

    供应商器件封装: 8-VSON(5x6)

    TI(德州仪器) - CSD18509Q5B - MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

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