技术应用信息
制造商零件编号:CSD19531KCS
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
系列:NexFET?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3870pF @ 50V
功率 - 最大值:179W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220-3
TI(德州仪器) - CSD19531KCS - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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