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TI(德州仪器) - CSD83325LT - MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
CSD83325LT|TI|场效应管阵列|MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
  • 制造商:TI (德州仪器)
  • 类目:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
  • 封装:6
  • (只做TI原装正品)
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术应用信息

    制造商零件编号:CSD83325LT

    制造商:Texas Instruments

    描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR

    系列:NexFET?/p>

    FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):-

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.9nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:2.3W

    安装类型:*

    封装/外壳:6-XFBGA

    供应商器件封装:6 PicoStar

    TI(德州仪器) - CSD83325LT - MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR

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