制造商零件编号：CSD85312Q3E

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

系列：NexFET?/p>

FET 类型：2?N 沟道（双）共源

FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：39A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.4 mOhm @ 10A, 8V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2390pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）

TI(德州仪器) - CSD85312Q3E - MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON