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TI(德州仪器) - CSD85301Q2T - MOSFET 2N-CH 20V 6WSON
CSD85301Q2T|TI|场效应管阵列|MOSFET 2N-CH 20V 6WSON
  • 制造商:TI (德州仪器)
  • 类目:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 20V 6WSON
  • 封装:原厂封装
  • (只做TI原装正品)
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术应用信息

    制造商零件编号:CSD85301Q2T

    制造商:Texas Instruments

    描述:MOSFET 2N-CH 20V 6WSON

    系列:*

    FET 类型:-

    FET 功能:-

    漏源极电压 (Vdss):-

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:-

    安装类型:-

    封装/外壳:-

    供应商器件封装:-

    TI(德州仪器) - CSD85301Q2T - MOSFET 2N-CH 20V 6WSON

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