技术应用信息
制造商零件编号:CSD87330Q3D
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
系列:NexFET?/p>
FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 15V
功率 - 最大值:6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-SON-EP(3.3x3.3)
TI(德州仪器) - CSD87330Q3D - MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
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