原厂标准完整型号: CSD87334Q3D

制造厂家名称: Texas Instruments

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

系列: NexFET?

FET 类型: 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 6 毫欧 @ 12A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 8.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1260pF @ 15V

功率 - 最大值: 6W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

TI(德州仪器) - CSD87334Q3D - MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON